28 /32V RF LDMOS HF(2GHzまでのHF)
2 GHzまで作動することを目指した28/32 V LDMOS トランジスタは、RF性能（+4 dBゲイン、+15％効率）、ruggedness (20以上:1 VSWR)及び信頼性の点で、改善前のLDMOSの世代に比べて大幅な改善が見られます。
セラミックパッケージと費用対効果の高いパワーSO-10RFプラスチックパッケージの両方で提供され、それらはリピータ、基地局、広帯域通信とLバンド衛星アップリンク機器などのアプリケーションに最適です。
主な機能| 周波数 | HFから2 GHzまで |
|---|---|
| 耐圧BVDSS | 80 V以上 |
| 電源電圧 | 最大32V |
| 出力電力 | 最大150 W |
| 利得 | 20dB |
| 効率 | 65％ |
| Ruggedness | 全位相(CW)で20以上：1 VSWR |
| 半導体チップで利用できる | |