LDMOS(Lateral DMOS Transistor)

POLYFET RF DEVICES


LDMOS(Lateral DMOS Transistor)

LDMOSは1996年の夏に導入された新しい一連のトランジスターです。LDMOS技術は、1500Mhzまでの周波数で高利得、高効率そして優れた直線性を提供します。1000MHzでは典型的な利得は13dB、500Mhzでは16dBです。利得11dBで1GHzにおいて100W以内のRF出力を期待することができます。LDMOSトランジスターは、その構築物の中にBEO(ベリリウム酸化物)を持っていないことという追加長所を持っています。


入力電圧 7.5,12.5,28,50 V
周波数 DC 〜 1500 MHZ
出力 6 〜 600 W 高利得

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