28 /32V RF LDMOS HF(2GHzまでのHF)

STMicroelectronics


28 /32V RF LDMOS HF(2GHzまでのHF)

2 GHzまで作動することを目指した28/32 V LDMOS トランジスタは、RF性能(+4 dBゲイン、+15%効率)、ruggedness (20以上:1 VSWR)及び信頼性の点で、改善前のLDMOSの世代に比べて大幅な改善が見られます。

セラミックパッケージと費用対効果の高いパワーSO-10RFプラスチックパッケージの両方で提供され、それらはリピータ、基地局、広帯域通信とLバンド衛星アップリンク機器などのアプリケーションに最適です。

主な機能
周波数 HFから2 GHzまで
耐圧BVDSS 80 V以上
電源電圧 最大32V
出力電力 最大150 W
利得 20dB
効率 65%
Ruggedness 全位相(CW)で20以上:1 VSWR
半導体チップで利用できる

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